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千佛文献链接：PrimaryNucleation-DominatedChemicalVaporDepositionGrowthforUniformGrapheneMonolayersonDielectricSubstrate（JACS,2019,DOI:10.1021/jacs.9b05705）本文由CQR编译。（g-i）图g中的标记区域的光学图像、山北相应的拉曼G峰和2D峰强度映射。

部市（b）基于石墨烯的FET器件的结构示意图。民广名征民意【背景介绍】可控的制备高质量石墨烯是实现其在各领域广泛应用的重大挑战。场命（d）器件在VDS=-1V时的转移曲线。

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制备的均匀单层石墨烯的FET器件表现出优异的电性能，山北其载流子迁移率高达3800cm2V-1s-1。

部市（c）由沉积在Si封端的二氧化硅上的石墨烯纳米线组成的混合结构。外媒认为，民广名征民意G4系列将采用亮度更高且拥有更好抗反射涂层的MLAOLED面板，C4系列则不会采用该面板。

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